Номер детали производителя : | S1JL R3G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S1JL R3G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S1JL R3G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S1JL R3G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1V @ 1A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.8µs |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | DO-219AB |
Другие названия | S1JL R3GCT S1JL R3GCT-ND S1JLR3GCT |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 24 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 9pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA